掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon

GB/T 13389-2014 推荐性国家标准

现行

标准状态

发布日期

2014-12-31

实施日期

2015-09-01

基础信息

标准号

GB/T 13389-2014

批准发布部门

国家标准委

发布部门

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口

国家标准委

标准分类

中国标准分类号

H80

国际标准分类号

29.045

标准层级

国家标准

GB/T 13389-2014 相关专题

GB/T 13389-2014 相似标准

标准号	标准名称	状态	发布日期	实施日期
GB/T 14847-2025	重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试红外反射法	即将实施	2025-10-31	2026-05-01
YS/T 1441-2021	掺杂型四氧化三钴	现行	2021-12-02	2022-04-01
T/CSTM 00036-2020	铈掺杂铝镓酸钆闪烁晶体	现行	2020-08-03	2020-11-03
YS/T 1520-2022	掺杂型镍钴锰酸锂	现行	2022-09-30	2023-04-01
GB/T 14847-2010	重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法	废止	2011-01-10	2011-10-01
T/CSTM 00032-2020	铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体阵列	现行	2020-08-03	2020-11-03
T/CSTM 00035-2020	铈掺杂硅酸钇闪烁晶体	现行	2020-08-03	2020-11-03
YS/T 1614-2023	掺杂包覆型镍钴铝酸锂	现行	2023-12-20	2024-07-01
SN/T 1031.1-2012	出口粗氧化锑化学分析方法第1部分：汞含量的测定	现行	2012-05-07	2012-11-16