半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence

GB/T 43493.3-2023 推荐性国家标准

现行

标准状态

发布日期

2023-12-28

实施日期

2024-07-01

基础信息

标准号

GB/T 43493.3-2023

批准发布部门

国家标准委

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

技术归口

国家标准委

是否采用国际标准

该标准采用国际标准

标准分类

中国标准分类号

L90

国际标准分类号

31.080.99

标准层级

国家标准

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