Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 3:Sector area flatness(ESFQR，ESFQD，ESBIR）
即将实施
2026-07-02
2027-02-01
GB/T 43894.3-2026
国家标准委
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
国家标准委
H21
77.040
国家标准
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JJF 1894-2021 | 半导体管特性图示仪校准仪校准规范 | 现行 | 2021-02-23 | 2021-08-23 |
| JJF 2009-2022 | 半导体参数精密分析仪校准规范 | 现行 | 2022-12-07 | 2023-06-07 |
| YY/T 0998-2015 | 半导体升降温治疗设备 | 现行 | 2015-03-02 | 2016-01-01 |
| JT/T 1512-2024 | 客车用半导体式低压配电设备技术条件 | 现行 | 2024-08-14 | 2025-03-01 |
| SJ/T 2658.3-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 11394-2009 | 半导体发光二极管测试方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 1831-2016 | 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 2658.9-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 1839-2016 | 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 11577-2016 | SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》应用指南 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 1830-2016 | 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 11400-2009 | 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11401-2009 | 半导体发光二极管产品系列型谱 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 1477-2016 | 半导体分立器件 3CG120型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 11405-2009 | 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分：测量方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 1832-2016 | 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1838-2016 | 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 11824-2022 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 1472-2016 | 半导体分立器件 3CG110型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 2658.15-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 11874-2022 | 电动汽车用半导体分立器件应力试验程序 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11487-2015 | 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 1486-2016 | 半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 2658.16-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
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