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半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验

Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers

GB/T 45718-2025 推荐性国家标准

现行

标准状态

发布日期

2025-05-30

实施日期

2025-09-01

基础信息

标准号

GB/T 45718-2025

批准发布部门

工业和信息化部（电子）

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

技术归口

工业和信息化部（电子）

是否采用国际标准

该标准采用国际标准

标准分类

中国标准分类号

L40

国际标准分类号

31.080.01

标准层级

国家标准

专题

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