DL/T 1959-2018 标准解读

DL电力标准信息

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作者:标准下载站
发布时间:2026‑08‑13
1796 字
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一、核心指标体系梳理

  • 绝缘电阻:一次绕组对地≥1000 MΩ(25℃,5000 V兆欧表),二次绕组对地≥100 MΩ(500 V兆欧表)
  • 介质损耗因数tanδ:20℃时≤0.005(10 kV下测量),且与出厂值偏差≤0.001
  • 局部放电量:额定电压下≤10 pC;1.2Um/√3下≤20 pC
  • 准确度误差:0.2级对应比差≤±0.2%,角差≤±10′;0.5级对应比差≤±0.5%,角差≤±20′
  • 暂态响应时间:阶跃响应上升时间≤100 ns(输出幅值从10%升至90%)
  • 温度系数:-40℃~+70℃范围内,比差变化量≤±0.05%/K,角差变化量≤±0.5′/K
  • 雷电冲击耐受电压:全波峰值≥1.1×Um×√2(Um为系统最高电压),无闪络、击穿
  • 连续过电压能力:1.2Um/√3持续时间≥30 min,输出误差仍满足准确度等级要求
  • 电磁兼容性:辐射抗扰度≥10 V/m(30 MHz~1 GHz),快速瞬变脉冲群抗扰度≥2 kV(5/50 ns,5 kHz)
  • 光纤链路衰减:单模光纤≤0.35 dB/km(1310 nm),≤0.22 dB/km(1550 nm),全程接续点总衰减≤0.5 dB

二、关键参数精准释义

  1. 绝缘电阻:采用恒压直流法,在规定电压等级及环境温度下施加1 min后读取稳态阻值;测量前需充分放电并屏蔽表面泄漏电流
  2. 介质损耗因数tanδ:在工频电压下,通过西林电桥或数字介损仪测得有功分量与无功分量之比;以20℃为基准温度,实测值需经温度换算公式校正:tanδt = tanδ20 × 1.3(t−20)/10
  3. 局部放电量:按GB/T 7354—2018规定,在屏蔽实验室中施加规定预加电压后降压至测量电压,记录连续3次稳定读数的算术平均值
  4. 准确度误差:比差=(Uout/Kn − Uin)/Uin×100%,角差=φout−φin,其中Kn为额定变比,Uin、Uout为同相位有效值,φin、φout为相位角
  5. 暂态响应时间:输入施加标准双指数雷电波(1.2/50 μs)或阶跃电压,用带宽≥3 GHz示波器捕获输出信号前沿,按10%–90%幅值区间计算上升时间
  6. 温度系数:在恒温箱内按GB/T 20840.7—2013规定梯度控温(每步±5 K),在各温度点稳定30 min后测量误差,线性拟合斜率即为温度系数
  7. 光纤链路衰减:采用插入损耗法,以稳定激光源(1310 nm/1550 nm)和光功率计测试,含熔接点、活动连接器及光纤本体,不包含光电转换模块内部损耗

三、参数合格区间界定

指标名称合格区间临界值不合格判定标准
绝缘电阻(一次对地)[1000, +∞) MΩ1000 MΩ<1000 MΩ(25℃)
tanδ(20℃)[0, 0.005]0.005>0.005 或 Δtanδ>0.001
局部放电量(1.2Um/√3)[0, 20] pC20 pC>20 pC(连续3次超限)
比差(0.2级)[−0.2%, +0.2%]±0.2%任一负荷点绝对值>0.2%
角差(0.2级)[−10′, +10′]±10′任一负荷点绝对值>10′
暂态响应时间[0, 100] ns100 ns>100 ns(三次独立测量均超)
光纤链路衰减(1550 nm)[0, 0.5] dB0.5 dB>0.5 dB(含全部接续点)

四、参数管控实操建议

  • 日常管控:建立全寿命周期台账,绝缘电阻、tanδ每6个月现场检测;准确度误差每年开展实验室比对;光纤衰减每季度采用OTDR+光功率计双法复测
  • 数据统计:采用移动极差控制图(X-MR Chart)监控tanδ趋势,当连续7点单侧排列或任一点超出UCL/LCL(UCL=tanδ均值+2.66×MR均值)启动三级预警
  • 偏差修正:比差超差时优先核查分压器高压臂电阻温漂,角差超差时校准光纤调制器偏置点及ADC采样时钟抖动(Jitter≤1 ps RMS);tanδ异常升高须解体检查环氧浇注体微裂纹及气隙分布
  • 环境补偿:现场测试tanδ、绝缘电阻时同步记录温湿度,按DL/T 474.3—2018附录B进行湿度修正:R换算=R实测×10(H−50)×0.02(H为相对湿度%)
  • 溯源管理:所有计量设备须经CNAS认可机构校准,标准互感器准确度等级不低于被检设备2个等级,现场校验装置相位误差引入量≤0.1′
标准解读不等同于原文,以标准原文为准

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