| 参数类别 | 指标阈值 | 适配逻辑 |
|---|---|---|
| 特性阻抗 | 50Ω±0.2Ω | 保障高频电磁波沿线缆中心导体与外层屏蔽层均匀分布,抑制信号反射 |
| 电压驻波比 | ≤1.25(DC至4GHz) | 限定回波损耗边界,满足宽带基站发射功率高效耦合需求 |
| 插入损耗 | ≤0.05dB/频率节点 | 基于介质损耗与导体集肤效应建模,确保长距离馈电衰减可控 |
| 接触电阻 | ≤1.0mΩ | 采用镀金中心针与弹性屏蔽结构,降低高频涡流发热风险 |
| 工作温度 | -40℃至+70℃ | 匹配户外气象载荷循环,维持材料介电常数热稳定性 |
原理内核:T5.1(C5)型依托空气介质与聚四氟乙烯绝缘支撑复合结构,实现低频寄生模态抑制。中心导体采用精密旋切工艺保证圆度公差,外导体螺纹配合作为非金属垫片密封补偿机制的核心载体,阻断湿气侵入路径。
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| YD/T 943.3-2009 | 射频同轴连接器 第3部分:T2.8(C3)型 | 现行 | 2009-12-11 | 2010-01-01 |