现行
2015-04-30
2015-10-01
50404-2015
2015-07-08
本标准适用于外延层和扩散层与衬底导电类型不同或两层电阻率相差至少一个数量级的任意电阻率的硅外延层和扩散层厚度的测量，测量范围：1μm～100μm。
南京国盛电子有限公司、有研新材料股份有限公司、上海晶盟硅材料有限公司
马林宝、杨帆、葛华等
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| YD/T 3251.7-2018 | 移动通信分布系统无源器件 第7部分：衰减器 | 现行 | 2018-12-21 | 2019-04-01 |
| ZJM-002-3547-2023 | 高压MOSFET用200 mm硅外延片 | 现行 | 2023-11-07 | 2023-11-07 |
| YS/T 1745-2025 | 分子束外延（MBE）用高纯铝源 | 现行 | 2025-04-10 | 2025-11-01 |
| GB/T 47917-2026 | 300mm硅外延片 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| GB/T 30652-2014 | 硅外延用三氯氢硅 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 14863-2013 | 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 | 废止 | 2013-12-31 | 2014-08-15 |
| GB/T 14139-2009 | 硅外延片 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 14142-1993 | 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 | 废止 | 1993-02-06 | 1993-10-01 |