| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 16427-1996 | 粉尘层电阻率测定方法 | 废止 | 1996-06-04 | 1997-04-01 |
| GB/T 19289-2003 | 电工钢片(带)的密度、电阻率和叠装系数的测量方法 | 废止 | 2003-09-12 | 2004-04-01 |
| GB/T 10581-2006 | 绝缘材料在高温下电阻和电阻率的试验方法 | 废止 | 2006-02-15 | 2006-06-01 |
| GB/T 3781.9-2006 | 乙炔炭黑 第9部分：电阻率的测定 | 废止 | 2006-08-01 | 2007-01-01 |
| GB/T 6616-2009 | 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 24521-2009 | 焦炭电阻率测定方法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-05-01 |
| GB/T 12476.9-2010 | 可燃性粉尘环境用电气设备 第9部分：试验方法 粉尘层电阻率的测定方法 | 废止 | 2010-08-09 | 2011-08-01 |
| KA/T 781-1998 | 高分辨自动地电阻率仪通用技术条件 | 现行 | 1998-11-10 | 1999-04-01 |
| JC/T 3073-2026 | 混凝土电阻率测试方法 | 即将实施 | 2026-07-15 | 2027-02-01 |
| GB/T 11297.7-1989 | 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 | 现行 | 1989-03-31 | 1990-01-01 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/SBX 027-2019 | 向列相热致液晶单体电阻率的测定 直流电压法 | 现行 | 2019-12-24 | 2020-02-01 |
| YS/T 63.2-2023 | 铝用炭素材料检测方法 第2部分：室温电阻率的测定 | 现行 | 2023-04-21 | 2023-11-01 |
| JJG 508-2004 | 四探针电阻率测试仪 | 现行 | 2004-09-21 | 2005-03-21 |
| GB/T 4192-2026 | 电真空器件及电光源用钨、钼材料电阻率的测试方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| HG/T 3331-2012 | 绝缘漆漆膜体积电阻系数和表面电阻系数测定法 | 现行 | 2012-11-07 | 2013-03-01 |