主要技术内容
本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体热导率的测试方法。本方法适用于微纳米金属烧结体,不包括微纳米金属烧结件热导率的测定。本方法测试的是样品在室温条件下的热导率值。需注意的是,本方法适用于从样品正面到样品背面方向(即纵向方向)的热导率的测量,该方向与器件封装样品的传热方向相同。
Test method for thermal conductivity of micro-nano sintered compact: laser flash method
现行
2021-11-01
2021-12-01
本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体热导率的测试方法。 本方法适用于微纳米金属烧结体,不包括微纳米金属烧结件热导率的测定。 本方法测试的是样品在室温条件下的热导率值。 需注意的是,本方法适用于从样品正面到样品背面方向(即纵向方向)的热导率的测量,该方向与器件封装样品的传热方向相同。
本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体热导率的测试方法。本方法适用于微纳米金属烧结体,不包括微纳米金属烧结件热导率的测定。本方法测试的是样品在室温条件下的热导率值。需注意的是,本方法适用于从样品正面到样品背面方向(即纵向方向)的热导率的测量,该方向与器件封装样品的传热方向相同。
南方科技大学、北京半导体照明科技促进中心、有研粉末新材料股份有限公司、北京康普锡威科技有限公司、上海贺利氏工业技术材料有限公司、国家纳米科学中心、中国科学院微电子研究所、哈尔滨理工大学、工业和信息化部电子第五研究所、复旦大学、深圳基本半导体有限公司、广东工业大学、西安交通大学、重庆大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、BOSCHMANTECHNOLOGY
张国旗,叶怀宇、刘旭、张靖、张敬国、赵朝晖、梁明会、王可、刘洋、周斌、唐宏浩、樊嘉杰、刘盼、张凯、王来利、田天成、赵璐冰、高伟
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
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