SiC MOSFET高温反偏试验方法

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频、高湿等极端环境下工作的电子器件。SiC MOSFET的高温可靠性试验是使器件在高温或高温高湿的环境下，承受高电压应力，以暴露跟时间、应力相关的缺陷。器件能否承受规定应力条件下的试验是评估器件实际应用可靠性的重要手段。 由于SiC/SiO2界面陷阱、近界面氧化物陷阱以及氧化物层中的缺陷和可移动电荷等问题，在长期高应力的测试环境下，导致SiC MOSFET器件的失效机制变得复杂，例如阈值电压"V" _"GS(th)" 和米勒电容的变化等。SiC MOSFET的高温可靠性试验方法及监控参数，需要做出相应的调整，本文件给出了适用于SiC MOSFET器件的高温反偏试验方法。

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温反偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。

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