碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法(PVT)

T/CIET 1279-2025制造业

现行

标准状态

发布日期

2025-05-14

实施日期

2025-05-14

基础信息

标准号

T/CIET 1279-2025

团体名称

中国国际经济技术合作促进会

包含专利

标准分类

国际标准分类号

29.045

行业分类

C397 电子器件制造

标准层级

团体标准

适用范围

本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法(PVT)的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。 本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求,明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等。

主要技术内容

本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法(PVT)的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求,明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等。

起草单位

眉山博雅新材料股份有限公司、苏州清橙半导体科技有限公司、山西烁科晶体有限公司、江苏超芯星半导体有限公司、通标中研标准化技术研究院(北京)有限公司、途邦认证有限公司

起草人

王宇、陈鹏飞、侯晓蕊、袁振洲、袁丽、雷沛、顾鹏、刘西洋、陈颖超、刘岩、吴永利、汪贤峰、冀云、徐敬铭、包瑾、祝焕新

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