宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法

Test method for total ionizing dose effect of static random-access memory in space application

T/CNS 82-2022制造业

现行

更新日期:2026-03-29

标准状态

发布日期

2022-12-16

实施日期

2023-04-01

基础信息

标准号

T/CNS 82-2022

团体名称

中国核学会

包含专利

否

标准分类

中国标准分类号

F 70

国际标准分类号

27.120.01 核能综合

标准层级

团体标准

适用范围

本文件适用于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力,抗辐射加固SRAM试验验证,SRAM总剂量效应研究。

主要技术内容

本文件适用于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力,抗辐射加固SRAM试验验证,SRAM总剂量效应研究。

起草单位

中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团有限公司第五研究院宇航物资保障事业部

起草人

郑齐文、崔江维、余学峰、郭旗、李豫东、王信、张丹、陆妩、何承发、崔帅、李鹏伟

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