氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of Ga2O3 single crystal substrate

T/IAWBS 015-2021 制造业

现行

标准状态

发布日期

2021-09-15

实施日期

2021-09-22

基础信息

标准号

T/IAWBS 015-2021

团体名称

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

包含专利

标准分类

国际标准分类号

29.045

行业分类

C398 电子元件及电子专用材料制造

标准层级

团体标准

适用范围

本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。 本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片,对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。 本文件适用于β相氧化镓单晶。

主要技术内容

本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片,对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。本文件适用于β相氧化镓单晶。

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟,北京邮电大学,北京镓族科技有限公司

起草人

李培刚、郭道友、吴忠亮、陈旭、唐为华

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