主要技术内容
本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。本文件适用于β相氧化镓单晶。
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Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of Ga2O3 single crystal substrate
现行
2021-09-15
2021-09-22
T/IAWBS 015-2021
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
否
29.045
C398 电子元件及电子专用材料制造
团体标准
本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。 本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。 本文件适用于β相氧化镓单晶。
本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。本文件适用于β相氧化镓单晶。
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京邮电大学，北京镓族科技有限公司
李培刚、郭道友、吴忠亮、陈旭、唐为华
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
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