制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备

本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称碳化硅外延设备）的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。 本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm（4英寸）、150 mm（6英寸）和200 mm（8英寸）SiC 晶片的碳化硅外延设备。

本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称碳化硅外延设备）的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm（4英寸）、150 mm（6英寸）和200 mm（8英寸）SiC 晶片的碳化硅外延设备。

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