半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验

Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films

GB/T 45720-2025推荐性国家标准

现行

更新日期:2026-03-08

标准状态

发布日期

2025-05-30

实施日期

2025-09-01

基础信息

标准号

GB/T 45720-2025

是否采用国际标准

该标准采用国际标准

标准分类

中国标准分类号

L55

国际标准分类号

31.080.01

标准层级

国家标准

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