Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
1998-11-17
1999-06-01
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 6428-1995 | 氢闸流管测试方法 | 现行 | 1995-12-22 | 1996-08-01 |
| T/CEC 155-2018 | 柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT)器件的一般要求 | 现行 | 2018-01-24 | 2018-04-01 |
| SJ/T 11971-2025 | 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）用焊片 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-08-01 |
| SJ/T 11972-2025 | 压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-08-01 |
| SJ/T 11974-2025 | 轨道交通牵引用绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块门类规范 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-08-01 |
| JB/T 8951.1-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第1部分：单管 | 现行 | 2025-07-02 | 2026-02-01 |
| JB/T 8951.2-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第2部分：臂模块 | 现行 | 2025-07-02 | 2026-02-01 |
| JB/T 8951.3-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第3部分：臂对模块 | 现行 | 2025-07-02 | 2026-02-01 |
| JB/T 8951.5-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第5部分：三相桥模块 | 现行 | 2025-07-02 | 2026-02-01 |
| T/CEC 155-2018 | 柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管 （IGBT）器件的一般要求 | 现行 | 2018-01-24 | 2018-04-01 |
| GB/T 17008-1997 | 绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号 | 废止 | 1997-10-05 | 1998-08-01 |
| T/ZZB 3936-2025 | 中高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器 | 现行 | 2025-12-20 | 2025-12-31 |
| SJ/T 2217-2014 | 硅光电晶体管技术规范 | 现行 | 2014-10-14 | 2015-04-01 |
| T/CI 161-2022 | 1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管（IGBT）驱动器 | 现行 | 2022-12-15 | 2022-12-15 |
| SJ/T 10049-1991 | 3DA1162型晶体管详细规范 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 11226-2000 | 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| SJ/T 11225-2000 | 电子元器件详细规范 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
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| SJ/T 10439-1993 | 双极型晶体管直流参数测试仪测试方法 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| SJ/T 10053-1991 | 3DD313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |