Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
现行
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-06-29 | 2007-11-01 |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 15651-1995 | 半导体器件分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 6588-2000 | 半导体器件分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 | 现行 | 2000-10-17 | 2001-10-01 |
| GB/T 13151-2005 | 半导体器件分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |
| GB/T 6589-2002 | 半导体器件分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范 | 现行 | 2002-12-04 | 2003-05-01 |
| GB/T 20516-2006 | 半导体器件分立器件 第4部分：微波器件 | 现行 | 2006-10-10 | 2007-02-01 |
| GB/T 4589.1-2006 | 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 | 现行 | 2006-10-10 | 2007-02-01 |
| GB/T 15651.2-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性 | 现行 | 2003-11-24 | 2004-08-01 |
| GB/T 15651.3-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法 | 现行 | 2003-11-24 | 2004-08-01 |
| GB/T 6352-1998 | 半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 15651.4-2017 | 半导体器件分立器件 第5-4部分:光电子器件半导体激光器 | 现行 | 2017-05-31 | 2017-12-01 |