Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors
现行
1994-12-30
1995-08-01
GB/T 4586-1994
工业和信息化部(电子)
工业和信息化部(电子)
该标准采用国际标准
L42
31.080
国家标准
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 12300-1990 | 功率晶体管安全工作区测试方法 | 现行 | 1990-03-15 | 1990-08-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 15769-1995 | 电影技术术语 | 现行 | 1995-12-08 | 1996-08-01 |
| GB/T 13823.16-1995 | 振动与冲击传感器的校准方法 温度响应比较测试法 | 现行 | 1995-07-12 | 1996-05-01 |