Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification
现行
1996-07-09
1997-01-01
GB/T 7577-1996
工业和信息化部（电子）
工业和信息化部（电子）
该标准采用国际标准
L42
31.080.30
国家标准
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 7576-1998 | 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 4587-2023 | 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 15651.7-2024 | 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 6218-1996 | 开关用双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1996-07-09 | 1997-01-01 |
| GB/T 15449-1995 | 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范 | 现行 | 1995-01-05 | 1995-08-01 |
| GB/T 29332-2012 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 现行 | 2012-12-31 | 2013-06-01 |
| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-06-29 | 2007-11-01 |
| GB/T 12300-1990 | 功率晶体管安全工作区测试方法 | 现行 | 1990-03-15 | 1990-08-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 13224-1991 | 工业导爆索试验方法 | 现行 | 1991-10-30 | 1992-07-01 |