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半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

GB/T 29332-2012推荐性国家标准解读预览

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更新日期：2026-02-23
半导体器件分立绝缘双极
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标准状态

发布日期

2012-12-31

实施日期

2013-06-01

基础信息

标准号

GB/T 29332-2012

批准发布部门

工业和信息化部（电子）

技术归口

工业和信息化部（电子）

是否采用国际标准

该标准采用国际标准

标准分类

中国标准分类号

L42

国际标准分类号

31.080.30;31.080.01

标准层级

国家标准

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