Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification
现行
1998-11-17
1999-06-01
GB/T 7576-1998
工业和信息化部（电子）
工业和信息化部（电子）
该标准采用国际标准
L42
31.080.30
国家标准
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
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