Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Microwave field effect transistors - Blank detail specification
现行
2007-06-29
2007-11-01
GB/T 21039.1-2007
工业和信息化部（电子）
工业和信息化部（电子）
该标准采用国际标准
L41
31.080.30
国家标准
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 12300-1990 | 功率晶体管安全工作区测试方法 | 现行 | 1990-03-15 | 1990-08-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 328.9-2007 | 建筑防水卷材试验方法 第9部分：高分子防水卷材 拉伸性能 | 现行 | 2007-03-26 | 2007-10-01 |