半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Microwave field effect transistors - Blank detail specification

GB/T 21039.1-2007 推荐性国家标准

现行

标准状态

发布日期

2007-06-29

实施日期

2007-11-01

基础信息

标准号

GB/T 21039.1-2007

批准发布部门

工业和信息化部(电子)

技术归口

工业和信息化部(电子)

是否采用国际标准

该标准采用国际标准

标准分类

中国标准分类号

L41

国际标准分类号

31.080.30

标准层级

国家标准

专题

相似标准

标准号 标准名称 状态 发布日期 实施日期
GB/T 12300-1990 功率晶体管安全工作区测试方法 现行 1990-03-15 1990-08-01
GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 现行 1994-12-30 1995-08-01
GB/T 328.9-2007 建筑防水卷材试验方法 第9部分:高分子防水卷材 拉伸性能 现行 2007-03-26 2007-10-01
GB/T 21040-2007 电子设备用固定电容器 第22-1部分: 空白详细规范 表面安装用2类多层瓷介固定电容器 评定水平 EZ 现行 2007-06-29 2007-11-01