Semiconductor devices—Discrete devices—Part 7:Bipolar transistors
现行
2023-09-07
2024-04-01
GB/T 4587-2023
工业和信息化部（电子）
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
工业和信息化部（电子）
该标准采用国际标准
L40
31.080.30
国家标准
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 15651.7-2024 | 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 6218-1996 | 开关用双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1996-07-09 | 1997-01-01 |
| GB/T 15449-1995 | 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范 | 现行 | 1995-01-05 | 1995-08-01 |
| GB/T 29332-2012 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 现行 | 2012-12-31 | 2013-06-01 |
| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-06-29 | 2007-11-01 |
| GB/T 12300-1990 | 功率晶体管安全工作区测试方法 | 现行 | 1990-03-15 | 1990-08-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/Z 43030-2023 | 低压开关设备和控制设备 网络安全 | 现行 | 2023-09-07 |