Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
现行
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 4937.44-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 43967-2024 | 空间环境 宇航用半导体器件单粒子效应脉冲激光试验方法 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-04-25 |
| DB13/T 6033-2024 | 半导体器件低浓度氢效应试验方法 | 现行 | 2024-10-28 | 2024-11-28 |
| GB/T 46789-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2020-12-28 | 2021-01-01 |
| SJ/T 11824-2022 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2020-12-28 | 2021-01-01 |
| GB/T 18904.3-2002 | 半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范 | 现行 | 1990-12-06 | 2003-05-01 |
| GB/T 5965-2000 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第一篇 双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列) 空白详细规范 | 现行 | 2000-01-03 | 2000-07-01 |
| GB/T 17940-2000 | 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 | 现行 | 2000-01-03 | 2000-07-01 |
| GB/T 18904.1-2002 | 半导体器件 第12-1部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范 | 现行 | 2002-12-04 | 2003-05-01 |
| GB/T 18904.4-2002 | 半导体器件 第12-4部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的Pin-FET模块空白详细规范 | 现行 | 2002-12-04 | 2003-05-01 |