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半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法

Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation

GB/T 48164.2-2026推荐性国家标准

即将实施

更新日期：2026-09-25
半导体器件碳化硅金属氧化物

标准状态

发布日期

2026-08-28

实施日期

2027-03-01

基础信息

标准号

GB/T 48164.2-2026

批准发布部门

工业和信息化部（电子）

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

技术归口

工业和信息化部（电子）

是否采用国际标准

该标准采用国际标准

标准分类

中国标准分类号

L40

国际标准分类号

31.080.01

标准层级

国家标准

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