半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验 第1部分:MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验

Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs

GB/T 45716.1-2026推荐性国家标准

即将实施

更新日期:2026-09-12

标准状态

发布日期

2026-04-30

实施日期

2026-11-01

基础信息

标准号

GB/T 45716.1-2026

批准发布部门

工业和信息化部(电子)

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

技术归口

工业和信息化部(电子)

是否采用国际标准

该标准采用国际标准

标准分类

中国标准分类号

L40

国际标准分类号

31.080.30

标准层级

国家标准

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