碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。

本文件充分借鉴了IEC60747-8-4DiscreteSemiconductordevices-Part8-4:Metal-oxide-semiconductorfield-effect-transistorsforpowerswitchingapplications的内容，并结合了近几年科研人员在SiCMOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对SiCMOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定，但局限于当前科研人员对SiCMOSFET器件的认知，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级。

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