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本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。
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The general specification for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor
现行
2020-12-28
2021-01-01
T/CASAS 006-2020
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
否
29.045
C397 电子器件制造
团体标准
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。
中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司
许恒宇、李金元、刘奥、万彩萍、刘鹏飞、刘国友、孙博韬
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