碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

The general specification for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

T/CASAS 006-2020 制造业

现行

标准状态

发布日期

2020-12-28

实施日期

2021-01-01

基础信息

标准号

T/CASAS 006-2020

团体名称

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

包含专利

标准分类

国际标准分类号

29.045

行业分类

C397 电子器件制造

标准层级

团体标准

适用范围

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称“晶体管”)的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。

主要技术内容

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称“晶体管”)的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。

起草单位

中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司

起草人

许恒宇、李金元、刘奥、万彩萍、刘鹏飞、刘国友、孙博韬

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