Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
现行
2025-05-30
2025-09-01
GB/T 45719-2025
工业和信息化部(电子)
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
工业和信息化部(电子)
该标准采用国际标准
L40
31.080.01
国家标准
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/SZBSIA 006-2022 | IC类半导体固晶机技术规范 | 现行 | 2022-09-23 | 2022-09-24 |
| GB/T 29845-2013 | 半导体制造设备的最终装配、包装、运输、拆包及安放导则 | 现行 | 2013-11-12 | 2014-04-15 |
| GB/T 14048.12-2016 | 低压开关设备和控制设备 第4-3部分:接触器和电动机起动器 非电动机负载用交流半导体控制器和接触器 | 废止 | 2016-12-13 | 2017-07-01 |
| JC/T 597-2011 | 半导体用透明石英玻璃管 | 现行 | 2011-12-20 | 2012-07-01 |
| JB/T 5537-2006 | 半导体压力传感器 | 现行 | 2006-12-31 | 2007-07-01 |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| GB/T 39771.2-2021 | 半导体发光二极管光辐射安全 第2部分:测试方法 | 现行 | 2021-03-09 | 2021-10-01 |
| GB/T 3859.4-2004 | 半导体变流器 包括直接直流变流器的半导体自换相变流器 | 现行 | 2004-05-14 | 2005-02-01 |
| GB/T 26070-2010 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| JC/T 2133-2012 | 半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法 | 现行 | 2012-12-28 | 2013-06-01 |
| GB/T 12667-2012 | 同步电动机半导体励磁装置总技术条件 | 现行 | 2012-06-29 | 2012-11-01 |
| JB/T 8453-1996 | 半导体变流器 第五部分 不间断电源设备用开关(UPS开关) | 现行 | 1996-09-03 | 1997-01-01 |
| T/SICA 008-2025 | 半导体IBO套刻设备验收规范 | 现行 | 2025-06-03 | 2025-07-03 |
| SJ/T 1832-2016 | 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GB/T 15873-1995 | 半导体设施接口技术文件编写导则 | 现行 | 1995-12-22 | 1996-08-01 |
| SJ/T 2658.5-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| GB/T 29856-2013 | 半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法 | 现行 | 2013-11-12 | 2014-04-15 |
| SJ/T 11401-2009 | 半导体发光二极管产品系列型谱 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11763-2020 | 半导体制造设备人机界面规范 | 现行 | 2020-12-09 | 2021-04-01 |
| SJ/T 2658.3-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| T/GVS 014-2024 | 半导体设备用低温泵评价规范 | 现行 | 2024-08-02 | 2024-08-02 |
| SJ/T 11856.2-2022 | 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第2部分:光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| DB31/ 374-2024 | 半导体行业污染物排放标准 | 现行 | 2024-02-29 | 2024-05-01 |
| SJ/T 1486-2016 | 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| GB/T 755-2025 | 旋转电机 定额与性能 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |