首页/行业标准/SJ电子 / SJ/T 2658.11-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间

SJ/T 2658.11-2015 SJ电子

现行

标准状态

发布日期

2015-10-10

实施日期

2016-04-01

基础信息

标准号

SJ/T 2658.11-2015

批准发布部门

工业和信息化部

技术归口

工业和信息化部电子工业标准化研究院

制修订

修订

标准分类

中国标准分类号

L53

国际标准分类号

31.080

标准类别

方法标准

标准分类

电子

标准层级

行业标准

备案信息

备案号

52038-2015

备案日期

2015-11-20

起草单位

工业和信息化部电子工业标准化研究院

起草人

张戈、赵英

SJ/T 2658.11-2015 相关专题

SJ/T 2658.11-2015 相似标准

标准号 标准名称 状态 发布日期 实施日期
T/QGCML 3956-2024 半导体实验室恒湿温试验管理平台 现行 2024-03-27 2024-04-11
T/GVS 014-2024 半导体设备用低温泵评价规范 现行 2024-08-02 2024-08-02
GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 现行 2018-06-07 2019-01-01
YY/T 1751-2020 激光治疗设备 半导体激光鼻腔内照射治疗仪 现行 2020-09-27 2021-09-01
GB/T 21226-2007 半导体变流器 变流联结的标识代号 现行 2007-12-03 2008-05-20
GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 现行 2018-06-07 2019-01-01
SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 现行 2015-10-10 2016-04-01
GB/T 249-2017 半导体分立器件型号命名方法 现行 2017-05-12 2017-12-01
GB/T 7576-2026 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 即将实施 2026-03-31 2026-10-01
T/GVS 006-2022 半导体射频电源和微波电源的输出偏差稳定性测量方法 现行 2022-05-27 2022-05-27
GB/T 43894.2-2026 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA） 即将实施 2026-01-28 2026-08-01
JB/T 5537-2006 半导体压力传感器 现行 2006-12-31 2007-07-01
GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 现行 2024-07-24 2025-02-01
GB/T 14140-2025 半导体晶片直径测试方法 现行 2025-08-01 2026-02-01
T/NXCL 28-2024 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚 现行 2024-02-02 2024-02-02
JC/T 2133-2012 半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法 现行 2012-12-28 2013-06-01
GB/T 37031-2018 半导体照明术语 现行 2018-12-28 2018-12-28
JB/T 8736-1998 电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片 现行 1998-05-28 1998-11-01
T/CASAS 002-2021 宽禁带半导体术语 现行 2021-03-08 2021-03-08
JB/T 6306-1992 电力半导体模块外形尺寸 现行 1992-06-26 1993-01-01
GB/T 15529-1995 半导体发光数码管空白详细规范 现行 1995-04-06 1995-11-01
YY 0845-2011 激光治疗设备 半导体激光光动力治疗机 现行 2011-12-31 2013-06-01
T/GSEE 0011-2023 高压交流电路半导体开关设备技术规范 现行 2023-12-05 2023-12-05
T/STIC 110096-2024 半导体用多级罗茨干式真空泵 现行 2024-01-01 2024-01-01
JB/T 6307.1-1992 电力半导体模块测试方法整流管臂对 现行 1992-06-26 1993-01-01
SJ/T 10136-2010 TES1系列温差电致冷组件总规范 现行 2010-12-29 2011-04-01