现行
2022-10-20
2023-01-01
SJ/T 11848-2022
工业和信息化部
制定
L42
31.080.30
产品标准
电子
行业标准
94250-2024
2024-05-31
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 2658.7-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| GB/T 4326-2006 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| JB/T 5537-2006 | 半导体压力传感器 | 现行 | 2006-12-31 | 2007-07-01 |
| GB/T 43136-2023 | 超硬磨料制品 半导体芯片精密划切用砂轮 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 29856-2013 | 半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法 | 现行 | 2013-11-12 | 2014-04-15 |
| GB/T 13973-2012 | 半导体管特性图示仪通用规范 | 现行 | 2012-12-31 | 2013-06-01 |
| GB/T 36357-2018 | 中功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| SJ/T 11817-2022 | 半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| YY 0845-2011 | 激光治疗设备 半导体激光光动力治疗机 | 现行 | 2011-12-31 | 2013-06-01 |
| SJ/T 1832-2016 | 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GB/T 35010.2-2018 | 半导体芯片产品 第2部分：数据交换格式 | 现行 | 2018-03-15 | 2018-08-01 |
| SJ/T 2658.11-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.12-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| T/GSEE 0011-2023 | 高压交流电路半导体开关设备技术规范 | 现行 | 2023-12-05 | 2023-12-05 |
| GB/T 37131-2018 | 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法（外文版EN） | 现行 | 2023-11-02 | |
| T/SZBSIA 006-2022 | IC类半导体固晶机技术规范 | 现行 | 2022-09-23 | 2022-09-24 |
| SJ/T 2215-2015 | 半导体光电耦合器测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 10041-1991 | 半导体集成电路CMOS4000系列移位寄存器 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
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| GB/T 30116-2013 | 半导体生产设施电磁兼容性要求 | 现行 | 2013-12-17 | 2014-04-15 |
| JC/T 2133-2012 | 半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法 | 现行 | 2012-12-28 | 2013-06-01 |
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