主要技术内容
本文件规定了电动汽车用功率半导体器件可靠性试验前的功能性检查要求,可靠性试验要求和试验方法。本文件还给出了车用宽禁带半导体器件,如碳化硅基场效应晶体管器件的特殊试验要求。本文件适用于功率半导体器件(分立器件或模块),包括但不限于绝缘栅双极晶体管(IGBT)、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和二极管器件。本文件可为电动汽车用功率半导体器件的可靠性型式试验及可靠性的设计与检验提供指南。
现行
2021-09-16
2021-09-23
T/IAWBS 004-2021
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
否
31.080.01 半导体器分立件综合
C397 电子器件制造
团体标准
本文件规定了电动汽车用功率半导体器件可靠性试验前的功能性检查要求,可靠性试验要求和试验方法。本文件还给出了车用宽禁带半导体器件,如碳化硅基场效应晶体管器件的特殊试验要求。本文件适用于功率半导体器件(分立器件或模块),包括但不限于绝缘栅双极晶体管(IGBT)、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和二极管器件。本文件可为电动汽车用功率半导体器件的可靠性型式试验及可靠性的设计与检验提供指南。
中国科学院电工研究所、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京新能源汽车股份有限公司、大洋电机新动力科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技(北京)有限公司、嘉兴斯达半导体股份有限公司、上海电驱动股份有限公司、北京锋锐新源电驱动科技有限公司、北京世纪金光半导体有限公司、吉林华微电子股份有限公司、新疆天科合达半导体股份有限公司
张瑾、陆敏、仇志杰、杜春雨、孔亮、彭同华、陈彤、刘志宏、张舟云、张琴、王志超、杨寿国、刘振洲
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
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