首页/其他标准/T/STIC 110096-2024

半导体用多级罗茨干式真空泵

Multi-stage roots dry vacuum pumps for semiconductor

T/STIC 110096-2024其他标准

现行

标准状态

发布日期

2024-01-01

实施日期

2024-01-01

基础信息

标准号

T/STIC 110096-2024

团体名称

上海市检验检测认证协会

标准分类

标准层级

团体标准

主要技术内容

本文件规定了半导体用多级罗茨干式真空泵的型式、型号与基本参数、技术要求、测量方法、抽样及判定方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于半导体用多级罗茨干式真空泵（以下简称“泵”）。

起草单位

上海汉钟精机股份有限公司、合肥通用机械研究院有限公司、昆山帕斯卡真空技术有限公司、上海华革真空技术有限公司、武汉凯芯通半导体技术有限公司、方圆标志认证集团上海有限公司、上海市检验检测认证协会

起草人

付娜、陈峰、彭申、曹雪妹、郑庆伟、吴俊峰、柯俊良、吴少坤、宋来富、张毅

T/STIC 110096-2024 相关专题

T/STIC 110096-2024 相似标准

标准号标准名称状态发布日期实施日期
T/ZZB 3888-2024半导体芯片测试用探针头现行2024-12-062024-12-06
T/CIET 722-2024半导体用高纯溅射靶材现行2024-10-232024-10-23
T/SZBSIA 007-2025IC类半导体固晶机检测规范现行2025-12-022025-12-02
T/SZBSIA 006-2025IC类半导体固晶机技术规范现行2025-12-022025-12-02
GB/T 4326-2025非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法即将实施2025-10-312026-05-01
GB/T 249-2026半导体分立器件型号命名方法即将实施2026-02-272026-09-01
GB/T 43894.2-2026半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）即将实施2026-01-282026-08-01
GB/T 36358-2018半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行2018-06-072019-01-01
GB/T 37131-2018纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法现行2018-12-282018-12-28
GB/T 29299-2012半导体激光测距仪通用技术条件现行2012-12-312013-06-01
GB/T 24578-2024半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法现行2024-07-242025-02-01
GB/T 249-2017半导体分立器件型号命名方法现行2017-05-122017-12-01
GB/T 7092-2021半导体集成电路外形尺寸现行2021-03-092021-10-01
GB/T 36357-2018中功率半导体发光二极管芯片技术规范现行2018-06-072019-01-01
GB/T 36356-2018功率半导体发光二极管芯片技术规范现行2018-06-072019-01-01
GB/T 31358-2015半导体激光器总规范现行2015-02-042015-08-01
GB/T 36005-2018半导体照明设备和系统的光辐射安全测试方法现行2018-03-152018-10-01
GB/T 26070-2010化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法现行2011-01-102011-10-01
GB/T 13973-2012半导体管特性图示仪通用规范现行2012-12-312013-06-01
GB/T 34971-2017半导体制造用气体处理指南现行2017-11-012018-02-01
GB/T 10236-2006半导体变流器与供电系统的兼容及干扰防护导则现行2006-11-082007-04-01
GB/T 36360-2018半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范现行2018-06-072019-01-01
DB32/ 3747-2020半导体行业污染物排放标准现行2020-02-062020-04-01
DB32/T 4894-2024微机电系统半导体气体传感器性能检测方法现行2024-11-072024-12-07
T/STIC 120086-2024菜场智慧经营管理服务认证要求现行2024-01-052024-01-05