主要技术内容
本文件规定了半导体用高纯溅射靶材的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输、贮存。本文件适用于半导体用高纯溅射靶材。
现行
2024-10-23
2024-10-23
T/CIET 722-2024
中国国际经济技术合作促进会
否
29.045
C398 电子元件及电子专用材料制造
团体标准
本文件规定了半导体用高纯溅射靶材的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输、贮存。 本文件适用于半导体用高纯溅射靶材。
本文件规定了半导体用高纯溅射靶材的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输、贮存。本文件适用于半导体用高纯溅射靶材。
通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、上杭县紫金佳博电子新材料科技有限公司、北京有色金属与稀土应用研究所有限公司、中铜华中铜业有限公司、芜湖映日科技股份有限公司、宝鸡市亨信稀有金属有限公司、安泰天龙钨钼科技有限公司、江苏迪纳科精细材料股份有限公司、安徽尚欣晶工新材料科技有限公司、深圳众诚达应用材料股份有限公司、途邦认证有限公司
刘岩、周钢、祁宇、赵智勇、曾墩风、李玉儒、弓艳飞、孔伟华、韩翠柳、黄勇彪、窦程亮、赵健、刘洪强、韩伟、臧经梅、童维玉、吴永利、汪贤峰、许艳晶、徐敬铭、包瑾、刘世纪
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11856.3-2022 | 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 10585-1994 | 半导体分立器件表面安装器件外型尺寸及引线框架尺寸 | 现行 | 1994-08-08 | 1994-12-01 |
| GB/T 19629-2005 | 医用电气设备 X射线诊断影像中使用的电离室和(或)半导体探测器剂量计 | 现行 | 2005-01-17 | 2005-06-01 |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| GB/T 44687-2024 | 超硬磨料制品 半导体晶圆精密磨削用砂轮 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-04-01 |
| T/SZBSIA 006-2022 | IC类半导体固晶机技术规范 | 现行 | 2022-09-23 | 2022-09-24 |
| SJ/T 11824-2022 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 24578-2024 | 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 | 现行 | 2024-07-24 | 2025-02-01 |
| GB/T 7581-2026 | 半导体分立器件外形尺寸 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 43894.2-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA） | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| JB/T 5537-2006 | 半导体压力传感器 | 现行 | 2006-12-31 | 2007-07-01 |
| SJ/T 2658.6-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 11817-2022 | 半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| DB32/T 4894-2024 | 微机电系统半导体气体传感器性能检测方法 | 现行 | 2024-11-07 | 2024-12-07 |
| SJ/T 11394-2009 | 半导体发光二极管测试方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| GB/T 7092-2021 | 半导体集成电路外形尺寸 | 现行 | 2021-03-09 | 2021-10-01 |
| T/GVS 005-2022 | 半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范 | 现行 | 2022-03-28 | 2022-03-28 |
| T/SZBSIA 007-2022 | IC类半导体固晶机检测规范 | 现行 | 2022-09-23 | 2022-09-24 |
| GB/T 35010.2-2018 | 半导体芯片产品 第2部分：数据交换格式 | 现行 | 2018-03-15 | 2018-08-01 |
| SJ/T 2658.1-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| YS/T 679-2018 | 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法 | 现行 | 2018-10-22 | 2019-04-01 |
| JB/T 6307.3-1992 | 电力半导体模块测试方法整流管三相桥 | 现行 | 1992-06-26 | 1993-01-01 |
| SJ/T 2749-2016 | 半导体激光二极管测试方法 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| GB/T 12667-2012 | 同步电动机半导体励磁装置总技术条件 | 现行 | 2012-06-29 | 2012-11-01 |
| JB/T 8669-1997 | 中频感应加热用半导体变频装置 | 现行 | 1997-12-17 | 1998-02-01 |
| T/ZFIDA 0004-2024 | 金融业应用安全测试产品检测能力评估 准则 第 1 部分：静态应用安全测试 | 现行 | 2024-12-18 | 2024-12-18 |