半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范

Testing specification for contrast method of absolute pressure capacitance diaphragm vacuum gauge in the semiconductor equipment

T/GVS 005-2022 科学研究和技术服务业

现行

标准状态

发布日期

2022-03-28

实施日期

2022-03-28

基础信息

标准号

T/GVS 005-2022

团体名称

广东省真空学会

包含专利

标准分类

中国标准分类号

J 78

国际标准分类号

23.160

行业分类

M745 质检技术服务

标准层级

团体标准

适用范围

本文件规定了半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试的术语和定义、符号和缩略语、总则、测试条件要求、精度测试、重复性精度测试、零点、满度温度系数测试、数据处理、复测时间。通过对这些内容的描述,可推知能够适用于半导体装备用电容薄膜真空计的测试方法及过程。 半导体制造过程工艺复杂且多数工艺需在真空条件下进行,因此,真空度的准确测量可保障半导体制造工艺的稳定性。半导体装备用电容薄膜真空计是一种用于半导体制造过程中真空度测量的高性能电容薄膜真空计,相比于其它类型电容薄膜真空计,除了需采用读值精度衡量真空计性能外,对重复性精度以及零点、满度温度系数也有较高的要求。 本文件对如何测试特殊类型的电容薄膜真空计未作出指导,此类指导将在其它标准中提供。 本文件适用于测量范围在0.01 Pa~100 kPa的半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试。

主要技术内容

本文件规定了半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试的术语和定义、符号和缩略语、总则、测试条件要求、精度测试、重复性精度测试、零点、满度温度系数测试、数据处理、复测时间。通过对这些内容的描述,可推知能够适用于半导体装备用电容薄膜真空计的测试方法及过程。半导体制造过程工艺复杂且多数工艺需在真空条件下进行,因此,真空度的准确测量可保障半导体制造工艺的稳定性。半导体装备用电容薄膜真空计是一种用于半导体制造过程中真空度测量的高性能电容薄膜真空计,相比于其它类型电容薄膜真空计,除了需采用读值精度衡量真空计性能外,对重复性精度以及零点、满度温度系数也有较高的要求。本文件对如何测试特殊类型的电容薄膜真空计未作出指导,此类指导将在其它标准中提供。

起草单位

季华实验室、暨南大学、佛山市佛欣真空技术有限公司、中山共享光电真空技术有限公司、中山凯旋真空科技股份有限公司、佛山兴翰科技有限公司

起草人

卫红、刘乔、侯少毅、胡强、胡琅、王凤双、刘彭义、陈科球、唐振方、武文全、徐中武、聂鹏、王威

T/GVS 005-2022 相关专题

T/GVS 005-2022 相似标准

标准号 标准名称 状态 发布日期 实施日期
SJ/T 11850-2022 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行 2022-10-20 2023-01-01
SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则 现行 2015-10-10 2016-04-01
GB/T 35010.3-2018 半导体芯片产品 第3部分:操作、包装和贮存指南 现行 2018-03-15 2018-08-01
SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行 2016-04-05 2016-09-01
SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间 现行 2015-10-10 2016-04-01
SJ/T 10039-1991 半导体集成电路CMOS4000系列译码器 现行 1991-04-08 1991-07-01
GB/T 15651.4-2017 半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器 现行 2017-05-31 2017-12-01
JC/T 597-2011 半导体用透明石英玻璃管 现行 2011-12-20 2012-07-01
SJ/T 10436-1993 半导体电阻应变计空白详细规范 现行 1993-12-17 1994-06-01
GB/T 14048.6-2016 低压开关设备和控制设备 第4-2部分:接触器和电动机起动器 交流电动机用半导体控制器和起动器(含软起动器) 废止 2016-08-29 2017-03-01
GB/T 37031-2018 半导体照明术语 现行 2018-12-28 2018-12-28
SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容 现行 2015-10-10 2016-04-01
GB/T 20522-2006 半导体器件 第14-3部分: 半导体传感器-压力传感器 现行 2006-08-23 2007-02-01
YD/T 2001.1-2009 用于光纤系统的半导体光电子器件 第1部分:基本特性和额定值 现行 2009-12-11 2010-01-01
SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压 现行 2015-10-10 2016-04-01
SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法 现行 2015-04-30 2015-10-01
GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法 现行 1995-07-24 1996-04-01
T/GVS 006-2022 半导体射频电源和微波电源的输出偏差稳定性测量方法 现行 2022-05-27 2022-05-27
GB/T 42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法 现行 2023-08-06 2024-03-01
T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 现行 2020-12-28 2021-01-01
SJ/T 11856.1-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第1部分:光源用法布里 泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片 现行 2022-10-20 2023-01-01
YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法 现行 2018-10-22 2019-04-01
YD/T 1687.1-2007 光通信用高速半导体激光器组件技术条件 第1部分:2.5Gb/s致冷型直接调制半导体激光器组件 现行 2007-09-29 2008-01-01
GB/T 34590.11-2022 道路车辆 功能安全 第11部分:半导体应用指南 现行 2022-12-30 2023-07-01
GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 现行 2018-06-07 2019-01-01
T/ZJWL 001-2022 浙江省道路运输车辆货运(钢材)装载规范(试行) 现行 2022-03-28 2022-03-28