现行
2007-09-29
2008-01-01
YD/T 1687.1-2007
信息产业部
中国通信标准化协会
制定
M33
33.180.99
无
通信
行业标准
22805-2008
2014-12-26
中兴通讯股份有限公司、武汉邮电大学等
张红宇、张立昆 等
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 20522-2006 | 半导体器件 第14-3部分: 半导体传感器-压力传感器 | 现行 | 2006-08-23 | 2007-02-01 |
| GB/T 35010.6-2018 | 半导体芯片产品 第6部分:热仿真要求 | 现行 | 2018-03-15 | 2018-08-01 |
| T/SICA 008-2025 | 半导体IBO套刻设备验收规范 | 现行 | 2025-06-03 | 2025-07-03 |
| JB/T 6307.2-1992 | 电力半导体模块测试方法整流管单相桥 | 现行 | 1992-06-26 | 1993-01-01 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-03-27 | 1987-11-01 |
| SJ/T 10041-1991 | 半导体集成电路CMOS4000系列移位寄存器 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| T/ZZB 1718-2023 | 半导体封装用键合金丝 | 现行 | 2024-11-14 | 2024-12-14 |
| T/SZBSIA 007-2022 | IC类半导体固晶机检测规范 | 现行 | 2022-09-23 | 2022-09-24 |
| GB/T 26070-2010 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| SJ/T 2658.15-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分:热阻 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| GB/T 36358-2018 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| SJ/T 2658.4-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| GB/T 4326-2025 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| SJ/T 11820-2022 | 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| T/CEMIA 036-2023 | 半导体显示用高碱浓度负胶显影液 | 现行 | 2023-11-06 | 2023-11-30 |
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| GB/T 7576-2026 | 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 4326-2006 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| JB/T 8661-1997 | 电力半导体模块结构件 | 现行 | 1997-12-17 | 1998-02-01 |
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