Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for power light-emitting diodes
现行
2018-06-07
2019-01-01
GB/T 36358-2018
工业和信息化部（电子）
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
工业和信息化部（电子）
L53
31.260
国家标准
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 2658.13-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 10482-1994 | 半导体深能级的瞬态电容测试方法 | 现行 | 1994-04-11 | 1994-10-01 |
| SJ/T 2749-2016 | 半导体激光二极管测试方法 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 10435-1993 | 半导体电阻应变计总规范 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| JB 9644-1999 | 半导体电气传动用电抗器 | 现行 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 6307.4-1992 | 电力半导体模块测试方法双极型晶体管臂和臂对 | 现行 | 1992-06-26 | 1993-01-01 |
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| GB/T 14140-2025 | 半导体晶片直径测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 14548-1993 | 船用半导体变流器通用技术条件 | 废止 | 1993-07-31 | 1994-02-01 |
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