Technical specification for middle power light-emitting diode chips
现行
2018-06-07
2019-01-01
GB/T 36357-2018
工业和信息化部（电子）
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
工业和信息化部（电子）
L53
31.260
国家标准
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 10585-1994 | 半导体分立器件表面安装器件外型尺寸及引线框架尺寸 | 现行 | 1994-08-08 | 1994-12-01 |
| GB/T 44687-2024 | 超硬磨料制品 半导体晶圆精密磨削用砂轮 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-04-01 |
| SJ/T 2658.8-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-03-27 | 1987-11-01 |
| SJ/T 11395-2009 | 半导体照明术语 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 10039-1991 | 半导体集成电路CMOS4000系列译码器 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 2658.3-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2215-2015 | 半导体光电耦合器测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11818.3-2022 | 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
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| SJ/T 10071-1991 | 半导体集成电路CH2022型4位移位寄存器详细规范 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| GB/T 37131-2018 | 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法 | 现行 | 2018-12-28 | 2018-12-28 |
| YS/T 679-2018 | 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法 | 现行 | 2018-10-22 | 2019-04-01 |
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