Technical specification for power light-emitting diode chips
现行
2018-06-07
2019-01-01
GB/T 36356-2018
工业和信息化部（电子）
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
工业和信息化部（电子）
L53
31.260
国家标准
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JB/T 7062-1993 | 半导体变流器联结的标志代号 | 现行 | 1993-10-08 | 1994-01-01 |
| JB/T 6307.3-1992 | 电力半导体模块测试方法整流管三相桥 | 现行 | 1992-06-26 | 1993-01-01 |
| GB/T 21226-2007 | 半导体变流器 变流联结的标识代号 | 现行 | 2007-12-03 | 2008-05-20 |
| SJ/T 11848-2022 | 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
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| SJ/T 11399-2009 | 半导体发光二极管芯片测试方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
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