主要技术内容
本文件规定了使用可控和（或）不可控电子阀器件的高压交流电路半导体开关的技术要求、检验方法、包装运输等内容。本文件适用于设计应用于大容量试验室，不具备开断电流能力且需与其他操作断路器配合使用，运行频率为50 Hz/60 Hz、电压3.6kV及以上，最高电压40.5kV的高压交流电路的电子式开关。
Technical specifications for high-voltage AC circuits semiconductor switchgear
现行
2023-12-05
2023-12-05
本文件规定了使用可控和（或）不可控电子阀器件的高压交流电路半导体开关的技术要求、检验方法、包装运输等内容。 本文件适用于设计应用于大容量试验室，不具备开断电流能力且需与其他操作断路器配合使用，运行频率为50 Hz/60 Hz、电压3.6kV及以上，最高电压40.5kV的高压交流电路的电子式开关。
本文件规定了使用可控和（或）不可控电子阀器件的高压交流电路半导体开关的技术要求、检验方法、包装运输等内容。本文件适用于设计应用于大容量试验室，不具备开断电流能力且需与其他操作断路器配合使用，运行频率为50 Hz/60 Hz、电压3.6kV及以上，最高电压40.5kV的高压交流电路的电子式开关。
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| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CI 222-2023 | 三通管液压成形技术规范 | 现行 | 2023-12-11 | 2023-12-11 |
| GB/T 8750-2022 | 半导体封装用金基键合丝、带（外文版EN） | 现行 | 2022-12-30 | |
| YS/T 1879-2026 | 半导体用高纯铝及铝合金圆铸锭 | 即将实施 | 2026-07-15 | 2027-02-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
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| GB/T 48099-2026 | 半导体封装用带预制焊环盖板 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
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| GB/T 48118-2026 | 功率半导体模块用陶瓷覆铜板 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
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| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
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| SJ/T 12006-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12021-2025 | 功率半导体模块用环氧灌封胶 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12022-2025 | 功率半导体模块用有机硅凝胶 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |