主要技术内容
本文件适用于由氢氧化钾、表面活性剂和水组成，其中氢氧化钾的质量百分比大于8%的半导体显示用高碱浓度负胶显影液。此半导体显示用高碱浓度负胶显影液主要用于半导体制程中负性光刻胶的显影，及薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）或有机发光二极管显示器（OLED）彩膜工艺光刻胶的显影。
High alkali concentration negative photoresist developer for semiconductor display
现行
2023-11-06
2023-11-30
T/CEMIA 036-2023
中国电子材料行业协会
否
L 90
31-030
C398 电子元件及电子专用材料制造
团体标准
本文件适用于由氢氧化钾、表面活性剂和水组成，其中氢氧化钾的质量百分比大于8%的半导体显示用高碱浓度负胶显影液。此半导体显示用高碱浓度负胶显影液主要用于半导体制程中负性光刻胶的显影，及薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）或有机发光二极管显示器（OLED）彩膜工艺光刻胶的显影。
本文件适用于由氢氧化钾、表面活性剂和水组成，其中氢氧化钾的质量百分比大于8%的半导体显示用高碱浓度负胶显影液。此半导体显示用高碱浓度负胶显影液主要用于半导体制程中负性光刻胶的显影，及薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）或有机发光二极管显示器（OLED）彩膜工艺光刻胶的显影。
福建省佑达环保材料有限公司、福州大学、福建华佳彩有限公司
刘小勇、侯琳熙、姚慧君、田博、肖龙强、黄晓莉、黄子勗、房龙翔、陈泽生、肖小江、邱小真、叶鑫煌、李丛香、吴玲玲
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/ZZB 1718-2023 | 半导体封装用键合金丝 | 现行 | 2024-11-14 | 2024-12-14 |
| T/STIC 110096-2024 | 半导体用多级罗茨干式真空泵 | 现行 | 2024-01-01 | 2024-01-01 |
| T/ZZB 3888-2024 | 半导体芯片测试用探针头 | 现行 | 2024-12-06 | 2024-12-06 |
| T/CIET 722-2024 | 半导体用高纯溅射靶材 | 现行 | 2024-10-23 | 2024-10-23 |
| T/SZBSIA 007-2025 | IC类半导体固晶机检测规范 | 现行 | 2025-12-02 | 2025-12-02 |
| T/SZBSIA 006-2025 | IC类半导体固晶机技术规范 | 现行 | 2025-12-02 | 2025-12-02 |
| GB/T 4326-2025 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| GB/T 249-2026 | 半导体分立器件型号命名方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| GB/T 43894.2-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA） | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 36358-2018 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 37131-2018 | 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法 | 现行 | 2018-12-28 | 2018-12-28 |
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| GB/T 249-2017 | 半导体分立器件型号命名方法 | 现行 | 2017-05-12 | 2017-12-01 |
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| GB/T 36357-2018 | 中功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 36356-2018 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
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| GB/T 34971-2017 | 半导体制造用气体处理指南 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-02-01 |
| GB/T 10236-2006 | 半导体变流器与供电系统的兼容及干扰防护导则 | 现行 | 2006-11-08 | 2007-04-01 |
| GB/T 36360-2018 | 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| T/CSTE 0477-2023 | 质量分级及“领跑者”评价要求 加氢站性能 | 现行 | 2023-11-28 | 2023-11-28 |