半导体显示用高碱浓度负胶显影液

High alkali concentration negative photoresist developer for semiconductor display

T/CEMIA 036-2023制造业

现行

更新日期:2026-03-28

标准状态

发布日期

2023-11-06

实施日期

2023-11-30

基础信息

标准号

T/CEMIA 036-2023

包含专利

否

标准分类

中国标准分类号

L 90

国际标准分类号

31-030

标准层级

团体标准

适用范围

本文件适用于由氢氧化钾、表面活性剂和水组成,其中氢氧化钾的质量百分比大于8%的半导体显示用高碱浓度负胶显影液。此半导体显示用高碱浓度负胶显影液主要用于半导体制程中负性光刻胶的显影,及薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)或有机发光二极管显示器(OLED)彩膜工艺光刻胶的显影。

主要技术内容

本文件适用于由氢氧化钾、表面活性剂和水组成,其中氢氧化钾的质量百分比大于8%的半导体显示用高碱浓度负胶显影液。此半导体显示用高碱浓度负胶显影液主要用于半导体制程中负性光刻胶的显影,及薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)或有机发光二极管显示器(OLED)彩膜工艺光刻胶的显影。

起草单位

福建省佑达环保材料有限公司、福州大学、福建华佳彩有限公司

起草人

刘小勇、侯琳熙、姚慧君、田博、肖龙强、黄晓莉、黄子勗、房龙翔、陈泽生、肖小江、邱小真、叶鑫煌、李丛香、吴玲玲

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