主要技术内容
本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。本文件适用于合成石英砂(成分:二氧化硅)为内层原料,采用电弧熔融法工艺生产,应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚。
Synthetic quartz crucible for semiconductor grade monocrystalline silicon growth
现行
2024-02-02
2024-02-02
T/NXCL 28-2024
宁夏材料研究学会
否
29.045
C398 电子元件及电子专用材料制造
团体标准
本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。本文件适用于合成石英砂(成分:二氧化硅)为内层原料,采用电弧熔融法工艺生产,应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚。
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、宁夏大学、宁夏高创特能源科技有限公司、宁夏旭樱新能源科技有限公司
李长苏、熊欢、何玉鹏、陈荣贵、王建军、史海贝、闫素婷、陈金莲、马万保、马荣天、王黎光、芮阳、李海波、盛旺、田宝春
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 1480-2016 | 半导体分立器件 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GB/T 35010.1-2018 | 半导体芯片产品 第1部分:采购和使用要求 | 现行 | 2018-03-15 | 2018-08-01 |
| GB/T 43894.1-2024 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD) | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| GB/T 14548-2025 | 船用半导体变流器通用技术条件 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| T/AHEPI 04-2022 | 温室气体通量监测技术规范 可调谐半导体激光吸收光谱法 | 现行 | 2022-12-20 | 2023-01-03 |
| GB/T 5201-2012 | 带电粒子半导体探测器测量方法 | 现行 | 2012-06-29 | 2012-11-01 |
| SJ/T 1832-2016 | 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 2658.5-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 10416-1993 | 半导体分立器件芯片总规范 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| SJ/T 10435-1993 | 半导体电阻应变计总规范 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| T/SZBSIA 007-2022 | IC类半导体固晶机检测规范 | 现行 | 2022-09-23 | 2022-09-24 |
| SJ/T 11395-2009 | 半导体照明术语 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| GB/T 249-2026 | 半导体分立器件型号命名方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| SJ/T 2658.11-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 11393-2009 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11849-2022 | 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| DB32/ 3747-2020 | 半导体行业污染物排放标准 | 现行 | 2020-02-06 | 2020-04-01 |
| SJ/T 2658.4-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 10482-1994 | 半导体深能级的瞬态电容测试方法 | 现行 | 1994-04-11 | 1994-10-01 |
| GB/T 31358-2015 | 半导体激光器总规范 | 现行 | 2015-02-04 | 2015-08-01 |
| SJ/T 11402-2009 | 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 2658.13-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| JB/T 6307.5-1994 | 电力半导体模块测试方法 双极型晶体管单相桥和三相桥 | 现行 | 1994-12-09 | 1995-06-01 |
| SJ/T 11820-2022 | 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| T/CCGA 90004-2023 | 泛半导体用尾气处理设备分解 移除效率的测试方法 | 现行 | 2023-12-18 | 2024-01-18 |
| T/SZJL 6-2024 | 数控机床加工件复合检测操作指南 | 现行 | 2024-02-02 | 2024-02-05 |