主要技术内容
本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。本文件适用于合成石英砂（成分：二氧化硅）为内层原料，采用电弧熔融法工艺生产，应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚。
Synthetic quartz crucible for semiconductor grade monocrystalline silicon growth
现行
2024-02-02
2024-02-02
本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。本文件适用于合成石英砂（成分：二氧化硅）为内层原料，采用电弧熔融法工艺生产，应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚。
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、宁夏大学、宁夏高创特能源科技有限公司、宁夏旭樱新能源科技有限公司
李长苏、熊欢、何玉鹏、陈荣贵、王建军、史海贝、闫素婷、陈金莲、马万保、马荣天、王黎光、芮阳、李海波、盛旺、田宝春
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
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