半导体分立器件 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范

SJ/T 1480-2016 SJ电子

现行

标准状态

发布日期

2016-04-05

实施日期

2016-09-01

基础信息

标准号

SJ/T 1480-2016

批准发布部门

工业和信息化部

技术归口

全国半导体器件标准化技术委员会

制修订

修订

标准分类

中国标准分类号

L42

国际标准分类号

31.080.30

标准类别

产品标准

标准分类

电子

标准层级

行业标准

备案信息

备案号

55004-2016

备案日期

2016-06-29

起草单位

济南市半导体元件实验所

起草人

侯秀萍、卞岩

SJ/T 1480-2016 相关专题

SJ/T 1480-2016 相似标准

标准号 标准名称 状态 发布日期 实施日期
SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量 现行 2015-10-10 2016-04-01
JB/T 5537-2006 半导体压力传感器 现行 2006-12-31 2007-07-01
SJ/T 11849-2022 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 现行 2022-10-20 2023-01-01
SJ/T 10071-1991 半导体集成电路CH2022型4位移位寄存器详细规范 现行 1991-04-08 1991-07-01
T/ZZB 3888-2024 半导体芯片测试用探针头 现行 2024-12-06 2024-12-06
GB/T 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法 现行 2003-07-07 2004-01-01
T/SZBSIA 006-2025 IC类半导体固晶机技术规范 现行 2025-12-02 2025-12-02
T/GSEE 0011-2023 高压交流电路半导体开关设备技术规范 现行 2023-12-05 2023-12-05
GB/T 45716-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验 现行 2025-05-30 2025-09-01
GB/T 45762-2025 精细陶瓷 室内照明环境下半导体光催化材料测试用光源 现行 2025-06-30 2026-01-01
GB/T 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸 现行 1987-03-27 1987-11-01
SJ/T 10482-1994 半导体深能级的瞬态电容测试方法 现行 1994-04-11 1994-10-01
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 现行 2011-01-10 2011-10-01
GB/T 10236-2006 半导体变流器与供电系统的兼容及干扰防护导则 现行 2006-11-08 2007-04-01
T/QGCML 3970-2024 半导体车间金属粉尘智能检测分析系统 现行 2024-03-27 2024-04-11
SJ/T 11395-2009 半导体照明术语 现行 2009-11-17 2010-01-01
T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法 现行 2022-07-18 2022-07-18
GB/T 20522-2006 半导体器件 第14-3部分: 半导体传感器-压力传感器 现行 2006-08-23 2007-02-01
SJ/T 11818.3-2022 半导体紫外发射二极管 第3部分:器件规范 现行 2022-10-20 2023-01-01
GB/T 29299-2012 半导体激光测距仪通用技术条件 现行 2012-12-31 2013-06-01
T/ZZB 2283-2021 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉 现行 2021-08-26 2021-09-26
GB/T 35010.1-2018 半导体芯片产品 第1部分:采购和使用要求 现行 2018-03-15 2018-08-01
GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 现行 2023-08-06 2024-03-01
T/ZZB 1718-2020 半导体封装用键合金丝 现行 2020-09-30 2020-10-30
GB/T 7576-2026 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 即将实施 2026-03-31 2026-10-01
HG/T 5436-2018 虱螨脲乳油 现行 2018-10-22 2019-04-01