首页/行业标准/SJ电子/SJ/T 11402-2009

光纤通信用半导体激光器芯片技术规范

SJ/T 11402-2009SJ电子

现行

标准状态

发布日期

2009-11-17

实施日期

2010-01-01

基础信息

标准号

SJ/T 11402-2009

批准发布部门

工业和信息化部

技术归口

中国电子技术标准化研究所

制修订

制定

标准分类

中国标准分类号

M33

标准类别

无

标准分类

电子

标准层级

行业标准

备案信息

备案号

26878-2010

备案日期

2014-12-26

起草单位

武汉电信器件有限公司

起草人

王任凡、罗飚

SJ/T 11402-2009 相关专题

SJ/T 11402-2009 相似标准

标准号标准名称状态发布日期实施日期
SJ/T 11395-2009半导体照明术语现行2009-11-172010-01-01
SJ/T 2658.11-2015半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间现行2015-10-102016-04-01
SJ/T 2658.13-2015半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数现行2015-10-102016-04-01
SJ/T 2749-2016半导体激光二极管测试方法现行2016-01-152016-06-01
SJ/T 2658.8-2015半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度现行2015-10-102016-04-01
SJ/T 2658.12-2015半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽现行2015-10-102016-04-01
SJ/T 2658.1-2015半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则现行2015-10-102016-04-01
SJ/T 2658.2-2015半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压现行2015-10-102016-04-01
SJ/T 2658.7-2015半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量现行2015-10-102016-04-01
SJ/T 2658.4-2015半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容现行2015-10-102016-04-01
SJ/T 2658.10-2015半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽现行2015-10-102016-04-01
SJ/T 2215-2015半导体光电耦合器测试方法现行2015-04-302015-10-01
SJ/T 2658.5-2015半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻现行2015-10-102016-04-01
SJ/T 2658.6-2015半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率现行2015-10-102016-04-01
SJ/T 2214-2015半导体光电二极管和光电晶体管测试方法现行2015-04-302015-10-01
YS/T 679-2018非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法现行2018-10-222019-04-01
YD/T 1687.1-2007光通信用高速半导体激光器组件技术条件 第1部分：2.5Gb/s致冷型直接调制半导体激光器组件现行2007-09-292008-01-01
YD/T 2001.2-2011用于光纤系统的半导体光电子器件 第2部分：测试方法现行2011-12-202012-02-01
YD/T 2001.1-2009用于光纤系统的半导体光电子器件 第1部分：基本特性和额定值现行2009-12-112010-01-01
GB/T 7581-2026半导体分立器件外形尺寸即将实施2026-03-312026-10-01
GB/T 7576-2026半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范即将实施2026-03-312026-10-01
GB/T 6217-2026半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范即将实施2026-03-312026-10-01
GB/T 4023.1-2026半导体分立器件 第1部分：分规范即将实施2026-03-312026-10-01
GB/T 37131-2018纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法（外文版EN）现行2023-11-02
HG/T 5412-2018氨气精制用脱硫剂化学成分分析方法现行2018-10-222019-04-01