首页/国家标准/推荐性国家标准/GB/T 37131-2018

纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法（外文版EN）

Nanotechnologies—Test method of semiconductor nanopowder using UV-Vis diffuse reflectance spectroscopy

GB/T 37131-2018推荐性国家标准

现行

查看中文版

标准状态

发布日期

2023-11-02

实施日期

基础信息

标准号

GB/T 37131-2018

批准发布部门

中国科学院

发布部门

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口

中国科学院

原文语种

EN

标准分类

中国标准分类号

G10

国际标准分类号

17.18

标准层级

国家标准

GB/T 37131-2018 相关专题

GB/T 37131-2018 相似标准

标准号标准名称状态发布日期实施日期
GB/T 11499-2026半导体分立器件文字符号即将实施
T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法现行2017-12-202017-12-31
T/SDPEA 0004-2018半导体冷凝式智能除湿装置技术要求现行2018-12-262018-12-26
T/ZZB 1718-2020半导体封装用键合金丝现行2020-09-302020-10-30
T/CASAS 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范现行2020-12-282021-01-01
T/CASAS 002-2021宽禁带半导体术语现行2021-03-082021-03-08
T/IAWBS 004-2021电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法现行2021-09-162021-09-23
T/CASAS 017-2021第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语现行2021-11-012021-12-01
T/GVS 005-2022半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范现行2022-03-282022-03-28
T/GVS 006-2022半导体射频电源和微波电源的输出偏差稳定性测量方法现行2022-05-272022-05-27
T/CASAS 015-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法现行2022-07-182022-07-18
T/CASAS 016-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法现行2022-07-182022-07-18
T/SZBSIA 006-2022IC类半导体固晶机技术规范现行2022-09-232022-09-24
T/SZBSIA 007-2022IC类半导体固晶机检测规范现行2022-09-232022-09-24
T/AHEPI 04-2022温室气体通量监测技术规范 可调谐半导体激光吸收光谱法现行2022-12-202023-01-03
T/CPSS 1004-2025车规级功率半导体模块动态特性测试规范现行2025-01-222025-01-23
T/SICA 008-2025半导体IBO套刻设备验收规范现行2025-06-032025-07-03
T/GSEE 0011-2023高压交流电路半导体开关设备技术规范现行2023-12-052023-12-05
T/NXCL 28-2024半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚现行2024-02-022024-02-02
T/CIECCPA 007-2024半导体工业氮氧化物排放要求现行2024-03-042024-03-08
T/QGCML 3956-2024半导体实验室恒湿温试验管理平台现行2024-03-272024-04-11
T/QGCML 3970-2024半导体车间金属粉尘智能检测分析系统现行2024-03-272024-04-11
T/GVS 014-2024半导体设备用低温泵评价规范现行2024-08-022024-08-02
T/GVS 005-2022 (2)半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范现行2022-03-282022-03-28
GB/T 37225-2018纳米技术 水溶液中多壁碳纳米管表征 消光光谱法（外文版EN）现行2023-11-02