主要技术内容
本文件规定了宽禁带半导体材料的制备与应用相关领域的术语及其定义。本文件适用于典型的宽禁带半导体材料，如：氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、氧化镓（b-Ga2O3）和金刚石等半导体材料及其应用的研发、生产制造及相关领域的从业者。
Terminology for wide bandgap semiconductors
现行
2021-03-08
2021-03-08
T/CASAS 002-2021
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
否
01.020
C398 电子元件及电子专用材料制造
团体标准
本文件规定了宽禁带半导体材料的制备与应用相关领域的术语及其定义。本文件适用于典型的宽禁带半导体材料，如：氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、氧化镓（b-Ga2O3）和金刚石等半导体材料及其应用的研发、生产制造及相关领域的从业者。
北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、北京大学宽禁带半导体研究中心、南京大学、中山大学、国宏中宇科技发展有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、东莞市天域半导体科技有限公司、广东先导稀材股份有限公司、厦门华联电子股份有限公司、北京聚睿众邦科技有限公司、东莞清芯半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
丁晓民、张安平、陈志忠、陈鹏、李顺峰、贾传宇、陈梓敏、王锡铭、丁雄杰、陆敏、孙国胜、崔波、郑智斌、张国义、高伟、于坤山
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11397-2009 | 半导体发光二极管用萤光粉 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 10416-1993 | 半导体分立器件芯片总规范 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| GB/T 8750-2022 | 半导体封装用金基键合丝、带 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-07-01 |
| SJ/T 1477-2016 | 半导体分立器件 3CG120型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1472-2016 | 半导体分立器件 3CG110型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GB/T 26070-2010 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| YD/T 1687.1-2007 | 光通信用高速半导体激光器组件技术条件 第1部分：2.5Gb/s致冷型直接调制半导体激光器组件 | 现行 | 2007-09-29 | 2008-01-01 |
| SJ/T 11398-2009 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| DB34/ 4294-2022 | 半导体行业水污染物排放标准 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11874-2022 | 电动汽车用半导体分立器件应力试验程序 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| T/QGCML 3970-2024 | 半导体车间金属粉尘智能检测分析系统 | 现行 | 2024-03-27 | 2024-04-11 |
| JB/T 7062-1993 | 半导体变流器联结的标志代号 | 现行 | 1993-10-08 | 1994-01-01 |
| T/CCGA 90004-2023 | 泛半导体用尾气处理设备分解 移除效率的测试方法 | 现行 | 2023-12-18 | 2024-01-18 |
| GB/T 12667-2012 | 同步电动机半导体励磁装置总技术条件 | 现行 | 2012-06-29 | 2012-11-01 |
| GB/T 37031-2018 | 半导体照明术语 | 现行 | 2018-12-28 | 2018-12-28 |
| T/GVS 005-2022 | 半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范 | 现行 | 2022-03-28 | 2022-03-28 |
| SJ/T 1838-2016 | 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GB/T 43894.2-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA） | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| YD/T 2001.1-2009 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第1部分：基本特性和额定值 | 现行 | 2009-12-11 | 2010-01-01 |
| GB/T 45762-2025 | 精细陶瓷 室内照明环境下半导体光催化材料测试用光源 | 现行 | 2025-06-30 | 2026-01-01 |
| T/SZBSIA 007-2025 | IC类半导体固晶机检测规范 | 现行 | 2025-12-02 | 2025-12-02 |
| SJ/T 10039-1991 | 半导体集成电路CMOS4000系列译码器 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 2658.3-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| JB/T 6307.4-1992 | 电力半导体模块测试方法双极型晶体管臂和臂对 | 现行 | 1992-06-26 | 1993-01-01 |
| SJ/T 11818.2-2022 | 半导体紫外发射二极管 第2部分：芯片规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| T/FZSGLXH 001-2021 | 福州市橄榄行业协会行业团体标准 | 现行 | 2021-03-08 | 2021-03-08 |