碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法

Transient dual test method for the measurement of the thermal resistance junction to case of silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(SiC MOSFET)

T/CASAS 016-2022制造业

现行

标准状态

发布日期

2022-07-18

实施日期

2022-07-18

基础信息

标准号

T/CASAS 016-2022

团体名称

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

包含专利

标准分类

国际标准分类号

31.080.01 半导体器分立件综合

行业分类

C397 电子器件制造

标准层级

团体标准

适用范围

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法。 本文件仅适用于SiC MOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压V_sd作为测试温敏参数的结壳热阻测试。

主要技术内容

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法。本文件仅适用于SiC MOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压V_sd作为测试温敏参数的结壳热阻测试。

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团第五十五研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、国网智能电网研究院有限公司、西安交通大学、东南大学、山东大学、南京航空航天大学、深圳基本半导体有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

付志伟、侯波、周斌、陈思、杨晓锋、陈义强、陈媛、来萍、黄云、路国光、刘奥、郭怀新、李巍巍、李金元、李尧圣、王来利、刘斯扬、杨家跃、崔益军、唐宏浩、乔良、徐瑞鹏

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