主要技术内容
本文件规定了套刻量测设备验收的技术要求，包括图形测试的结构和原理、设备验收主要参数设备验收等。本文件适用于以硅(Si)和锗(Ge)等为代表的第一代半导体、以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等为代表的第二代化合物半导体、以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体。
Acceptance specification for semiconductor IBO overlay equipment
现行
2025-06-03
2025-07-03
T/SICA 008-2025
上海市集成电路行业协会
否
N38
31.200
C356 电子和电工机械专用设备制造
团体标准
本文件规定了套刻量测设备验收的技术要求，包括图形测试的结构和原理、设备验收主要参数设备验收等。本文件适用于以硅(Si)和锗(Ge)等为代表的第一代半导体、以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等为代表的第二代化合物半导体、以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体。
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闫波、夏雷云、尹睿、温任华、胡伟雄、杨波、江旭初、蔡洪涛、周钰颖、卢姝、龚燕飞、吴茹茹、陈鲲、张正敏、朱婕、王晨、卢红亮、李正国、孟凡涛、刘柳、赵强、张奇、吴浩成
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
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| SJ/T 11848-2022 | 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11849-2022 | 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 20522-2006 | 半导体器件 第14-3部分: 半导体传感器-压力传感器 | 现行 | 2006-08-23 | 2007-02-01 |
| SJ/T 2749-2016 | 半导体激光二极管测试方法 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| GB/T 31359-2015 | 半导体激光器测试方法 | 现行 | 2015-02-04 | 2015-08-01 |
| T/GSEE 0011-2023 | 高压交流电路半导体开关设备技术规范 | 现行 | 2023-12-05 | 2023-12-05 |
| JC/T 2064-2011 | 半导体用透明石英玻璃棒 | 现行 | 2011-12-20 | 2012-07-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| SJ/T 1486-2016 | 半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| JB/T 6307.3-1992 | 电力半导体模块测试方法整流管三相桥 | 现行 | 1992-06-26 | 1993-01-01 |
| GB/T 34971-2017 | 半导体制造用气体处理指南 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-02-01 |
| GB/T 10236-2006 | 半导体变流器与供电系统的兼容及干扰防护导则 | 现行 | 2006-11-08 | 2007-04-01 |
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