主要技术内容
本文件规定了套刻量测设备验收的技术要求，包括图形测试的结构和原理、设备验收主要参数设备验收等。本文件适用于以硅(Si)和锗(Ge)等为代表的第一代半导体、以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等为代表的第二代化合物半导体、以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体。
Acceptance specification for semiconductor IBO overlay equipment
现行
2025-06-03
2025-07-03
本文件规定了套刻量测设备验收的技术要求，包括图形测试的结构和原理、设备验收主要参数设备验收等。本文件适用于以硅(Si)和锗(Ge)等为代表的第一代半导体、以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等为代表的第二代化合物半导体、以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体。
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| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/SXSL 19-2025 | 蛋鸡低蛋白日粮生产技术规范 | 现行 | 2025-06-03 | 2025-07-01 |
| GB/T 8750-2022 | 半导体封装用金基键合丝、带（外文版EN） | 现行 | 2022-12-30 | |
| YS/T 1879-2026 | 半导体用高纯铝及铝合金圆铸锭 | 即将实施 | 2026-07-15 | 2027-02-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48120-2026 | 精细陶瓷 室内照明环境下半导体光催化材料测试用LED光源 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48099-2026 | 半导体封装用带预制焊环盖板 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 15879.616-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-16部分：焊球阵列封装（BGA）、焊盘阵列封装（LGA）、密节距焊球阵列封装（FBGA）和密节距焊盘阵列封装（FLGA）的半导体试验和老化插座术语表 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 20521.12-2026 | 半导体器件 第14-12部分：半导体传感器 基于CMOS成像的气体传感器的性能测试方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48118-2026 | 功率半导体模块用陶瓷覆铜板 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 11856.5-2025 | 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第5部分：单模泵浦用半导体激光器芯片 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
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| SJ/T 12005-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
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| SJ/T 12021-2025 | 功率半导体模块用环氧灌封胶 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12022-2025 | 功率半导体模块用有机硅凝胶 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |