主要技术内容
本文件规定了套刻量测设备验收的技术要求,包括图形测试的结构和原理、设备验收主要参数设备验收等。本文件适用于以硅(Si)和锗(Ge)等为代表的第一代半导体、以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等为代表的第二代化合物半导体、以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体。
Acceptance specification for semiconductor IBO overlay equipment
现行
2025-06-03
2025-07-03
T/SICA 008-2025
上海市集成电路行业协会
否
N38
31.200
C356 电子和电工机械专用设备制造
团体标准
本文件规定了套刻量测设备验收的技术要求,包括图形测试的结构和原理、设备验收主要参数设备验收等。本文件适用于以硅(Si)和锗(Ge)等为代表的第一代半导体、以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等为代表的第二代化合物半导体、以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体。
魅杰光电科技(上海)有限公司、上海市集成电路行业协会、国家集成电路创新中心、上海泛腾半导体技术有限公司、上海隐冠半导体技术有限公司、上海积塔半导体有限公司、上海芯上微装科技股份有限公司、卡尔蔡司(上海)管理有限公司、上海市质量和标准化研究院、上海新微技术研发中心有限公司、拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司、复旦大学微电子学院、电子科技大学集成电路学院、浙江大学光电科学与工程学院、浙江驰拓科技有限公司、杭州立昂东芯微电子有限公司
闫波、夏雷云、尹睿、温任华、胡伟雄、杨波、江旭初、蔡洪涛、周钰颖、卢姝、龚燕飞、吴茹茹、陈鲲、张正敏、朱婕、王晨、卢红亮、李正国、孟凡涛、刘柳、赵强、张奇、吴浩成
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/GSEE 0011-2023 | 高压交流电路半导体开关设备技术规范 | 现行 | 2023-12-05 | 2023-12-05 |
| T/NXCL 28-2024 | 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚 | 现行 | 2024-02-02 | 2024-02-02 |
| T/CIECCPA 007-2024 | 半导体工业氮氧化物排放要求 | 现行 | 2024-03-04 | 2024-03-08 |
| T/QGCML 3956-2024 | 半导体实验室恒湿温试验管理平台 | 现行 | 2024-03-27 | 2024-04-11 |
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