主要技术内容
本标准规定了电动汽车用功率半导体模块可靠性试验前的功能性检查要求、可靠性试验过程中的通用要求以及可靠性试验方法。本标准适用的功率半导体模块，包括但不限于绝缘栅双极晶体管（IGBT）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和二极管模块。本标准还规定了宽禁带半导体模块，如碳化硅基MOSFET特殊的试验要求。本标准可为电动汽车用功率半导体模块的可靠性定型试验及可靠性的设计与检验提供指南。
General reliability test requirements and test methods for power semiconductor devices in electric vehicle applications
现行
2017-12-20
2017-12-31
T/IAWBS 004-2017
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
否
31.080.01 半导体器分立件综合
C397 电子器件制造
团体标准
本标准规定了电动汽车用功率半导体模块可靠性试验前的功能性检查要求、可靠性试验过程中的通用要求以及可靠性试验方法。本标准适用的功率半导体模块，包括但不限于绝缘栅双极晶体管（IGBT）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和二极管模块。本标准还规定了宽禁带半导体模块，如碳化硅基MOSFET特殊的试验要求。本标准可为电动汽车用功率半导体模块的可靠性定型试验及可靠性的设计与检验提供指南。
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、北汽电动汽车股份有限公司、大洋电机新动力科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、嘉兴斯达半导体股份有限公司、上海电驱动股份有限公司、北京锋锐新源电驱动科技有限公司、北京世纪金光半导体有限公司、吉林华微电子股份有限公司
张瑾、仇志杰、葛亮、孔亮、陈彤、刘志宏、张舟云、张琴、王志超、杨寿国、陆敏、彭同华、刘振洲
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
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