主要技术内容
本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。载流子浓度测量范围为：1×1014 cm-3 ～5×1017 cm-3。本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。
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Silicon carbide epitaxial layers—Determination of carrier concentration—Mercury probe capacitance-voltages method
现行
2017-12-20
2017-12-31
T/IAWBS 003-2017
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
否
29.045
C398 电子元件及电子专用材料制造
团体标准
本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。载流子浓度测量范围为：1×1014 cm-3 ～5×1017 cm-3。本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所
冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲
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