碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

Silicon carbide epitaxial layers—Determination of carrier concentration—Mercury probe capacitance-voltages method

T/IAWBS 003-2017 制造业

现行

标准状态

发布日期

2017-12-20

实施日期

2017-12-31

基础信息

标准号

T/IAWBS 003-2017

团体名称

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

包含专利

标准分类

国际标准分类号

29.045

行业分类

C398 电子元件及电子专用材料制造

标准层级

团体标准

主要技术内容

本标准规定了碳化硅(4H-SiC)外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容-电压法。本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量,要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。载流子浓度测量范围为:1×1014 cm-3 ~5×1017 cm-3。本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所

起草人

冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲

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